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原装BEHLKE HTS 800-100高压开关

描述:原装BEHLKE HTS 800-100高压开关
德国BEHLKE是高压功率半导体堆栈的市场。BEHLKE生产的高压固态开关高可达200kV交流和直流单开关或桥式配置。

更新时间:2024-05-29
产品型号:HTS 800-100
厂商性质:经销商
参考价:¥4800
详情介绍

原装BEHLKE HTS 800-100高压开关

Behlke 产品组C4 - 沟槽FET,可变导通时间,高电流,低电阻

1)HTS 71-13-BC,紧凑型系列。新的TRENCH FET技术,具有低导通电阻。7.8 kVDC,130 A pk,<1 Ohm,tr <10 ns。尺寸79 x 38 x 17 mm 

2)HTS 61-23-B,新的沟槽FET,具有低导通电阻和高峰值电流。带可选铜散热片(选件CF)。6.5 kVDC,230 A pk,Ron <0.4 Ohm,tr <15ns  

3)HTS 231-52-B,新的Trench FET技术,具有低导通电阻和高峰值电流。23 kV,520 A,<0.7 Ohm,tr <20 ns。使用选件CF-X2(散热片X2)和C-DR(驱动器散热)   
  

 HTS 31-GSM推挽式开关由两部分组成交替控制的固态开关转向由大量MOSFET组成平行并且串联。 HTS 31-GSM拥有全部*的HTS系列的优点开关,例如控制简单,电流高隔离,精确切换特性,高可靠性,长寿命和小尺寸。 push-pul这里描述的开关可以首先用于产生高边缘的真正方波脉冲主要是电容性或电阻性的陡度加载。带推挽式开关的发电机解决方案与单开关相比具有明显的优势关于功耗和工作电阻脉冲下垂。特别是超大的储能电容器和强大的高压电源可以在纯电容的情况下可以省去装载,因为不需要提供真正的电力整个脉冲持续时间,就像*的数字CMOS-ICS具有可观的功耗仅在较高频率下出现。兴衰开关输出的时间几乎相同并且一次有可能产生极其精确的高压方波脉冲仅使用一个组件,具有成本效益。 HTS31-GSM配备了抗噪声控制电路,确保始终正确的时间内部开关元件甚至多困难的操作条件。通过监视和调节输入信号不能发生不饱和的转换。一个内置的具有自动复位功能的thermotrigger提供防止中长期过热。

 

Behlke 产品组C5 - MOSFET,可变导通时间,双极性,用于交流和直流电压

1 )HTS 61-01-AC-C,用于交流,直流和双极直流电压的MOSFET开关。紧凑型系列。尺寸79 x 38 x 17毫米。6 kVAC(pk)/ 15 A(pk)。  

2)HTS 131-26-AC-B,用于交流,直流和双极直流电压的沟槽FET开关。带可选铜散热片(选件CF)和屏蔽输入(选件LS-C)。13 kVAC(pk)/ 260 A(pk)。  

3)HTS 231-26-AC-B,沟槽FET开关,用于交流,直流和双极直流电压。带可选铜散热片(选件CF)和屏蔽输入(选件LS-C)。23 kVAC(pk)/ 260 A(pk)。

4)  各种MOSFET交流开关,30至70 kV / 100 A,带管状外壳(选件TH)和直接液冷(选件DLC)。    

 


Behlke 产品组C6 - 具有可变导通时间,高电流的IGBT开关

1)HTS 61-160-FI,快速IGBT开关。可变导通时间200ns至无限。带有用于控制连接的尾纤(选件PT-C)。6 kV,1600 A.导通上升时间<90 ns @Ip(大值)。关断上升时间<0.8μs。 

2)HTS 101-120-SI,标准IGBT开关。可变导通时间1μs至无限。10 kV,1200 A pk。开启上升时间<150 ns @ Ip(大值)。关断上升时间<5μs 。

3)HTS 241-240-SI,标准IGBT开关。可变导通时间200 ns至无限。带有可选的散热片(选件CF)和法兰外壳(选件FH)。24 kV,2400 A pk。上升时间<150 ns @ Ip(大值)。 
  

 

Behlke 产品组C7-MCT开关具有可变导通时间,高电流

1)HTS 61-300-MCT,可变导通时间的晶闸管开关。6 kVDC,导通电流3 kA,关断电流100 A.导通上升时间200 ns,关断上升时间1.5μs。

2)HTS 101-300-MCT,可变导通时间的晶闸管开关。10 kVDC,导通电流3 kA,关断电流100 A.导通上升时间200 ns,关断上升时间1.5μs。

3)HTS 181-300-MCT,可变导通时间的晶闸管开关。18 kVDC,导通电流3 kA,关断电流100 A.导通上升时间200 ns,关断上升时间1.5μs。  
 

 

Behlke 产品组C8 - 推挽式配置的MOSFET开关(半桥)

1)HTS 61-01-HB-C,MOSFET推挽式开关。紧凑型系列。尺寸79 x 38 x 17毫米。可变HV脉冲宽度从50 ns到无穷大。2 x 6 kV,15 A.上升和下降时间<8ns。  

2)  HTS 81-06-GSM,MOSFET推挽式开关采用经济高效的塑料外壳。底部的HV接头。可变HV脉冲宽度从150 ns到无穷大。2 x 8 kV,60 A.上升和下降时间<7ns。

3)HTS 201-03-GSM,MOSFET推挽式开关,带有可选的散热片(CF)和阻燃外壳,符合UL94-V0(选件UL94)。 2 x 20 kV,30 A pk,上升和下降时间<10 ns 

4)HTS 301-03-GSM ,MOSFET推挽式开关,带选件FH(法兰外壳),DLC(直接液冷),C-DR(驱动器冷却)和HFS(高频开关)。2 x 30 kV,30 A 
     上升和下降时间<20 ns,重复率> 100 kHz。采用DLC冷却,大功耗可达6 kW。尺寸330x120x75 mm。

5)HTS 1501-10-GSM, MOSFET推挽式开关,带选件FH(法兰外壳)和DLC(直接液冷)。2 x 150 kV,100 A.上升和下降时间<90 ns。

6)HTS 61-03-HB-C, MOSFET推挽式开关。紧凑型系列,带选件GCF(接地冷却法兰)。可变脉冲宽度从75 ns到无穷大。2 x 6 kV,30 A.上升和下降时间<6 ns。  

原装BEHLKE HTS 800-100高压开关

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